grafeno

Investigadores de la Universidad Autónoma de Madrid y la Universidad Tecnológica de Delft (Países Bajos) han caracterizado propiedades mecánicas del disulfuro de molibdeno que demuestran su uso potencial en dispositivos electrónicos flexibles. Esta molécula constituye un material semiconductor ultrafino, muy duro y flexible.

Científicos de instituciones españolas han logrado confinar la luz a escala nanométrica en grafeno, según publican esta semana en la revista Nature. El avance confirma las predicciones teóricas y las propiedades potenciales que tiene esta capa de átomos de carbono para procesar información óptica.

El grafeno, un material que consiste básicamente en una lámina de grafito de un único átomo de espesor, se considera como el material clave para los dispositivos tecnológicos del futuro. Investigadores de la Universidad Autónoma de Madrid (UAM) han descubierto que sus propiedades electrónicas se presentan como un mosaico irregular. Se trata de un conocimiento que abre la puerta al diseño de dispositivos en los que se puedan controlar las propiedades electrónicas del grafeno a través de una interacción grafeno-substrato definida por el usuario, según el estudio.

Investigadores de la Universidad Autónoma de Madrid han desarrollado un método de crecimiento de grafeno que permite su formación sobre superficies de cristales de oro, ampliando sus posibilidades como material clave en la electrónica del futuro.

Un equipo internacional liderado por investigadores del Instituto de Astrofísica de Canarias (IAC) ha encontrado en el espacio lo que podría ser “un trocito de grafeno”, una molécula plana bidimensional formada por 24 atómos de carbono (C24) y con el grosor de uno de ellos. Los astrofísicos, que han observado en las nubes de Magallanes con el telescopio Spitzer de la NASA, también han detectado el fullereno C60 y, por primera vez, el C70.

¿Puede la presencia de un defecto del menor tamaño posible, es decir un defecto atómico, modificar de manera notable las propiedades de un material? Esta cuestión crucial ha sido estudiada por investigadores de la Universidad Autónoma de Madrid (UAM), en colaboración con el Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (ICMM), en sistemas de tipo grafeno, cuya estructura bidimensional otorga a estos defectos atómicos un papel crítico.

En la carrera por reemplazar al silicio como el material por excelencia para construir dispositivos electrónicos, uno de los materiales que se postulan como más prometedores es el grafeno, debido a la alta velocidad natural (movilidad) de sus portadores de carga. Investigadores de los Departamentos de Física de la Materia Condensada y Química Inorgánica de la Universidad Autónoma de Madrid (UAM), en colaboración con científicos alemanes, están trabajando para que este reemplazo sea posible.