Científicos e ingenieros del CERN celebran el éxito de la puesta en marcha en el centro de control del detector ATLAS
El primer haz de partículas del Gran Colisionador de Hadrones (LHC), el acelerador de partículas más potente del mundo situado en el Centro Europeo de Investigación Nuclear (CERN), ha circulado con éxito a las 10h28 de hoy a lo largo de sus 27 kilómetros de circunferencia. Tras casi dos décadas de preparación, este acontecimiento histórico marca el comienzo de una nueva era de descubrimientos científicos, como han declarado numerosos directores de laboratorios de investigación de todo el mundo.
Centro de control del CERN el día de la puesta en marcha.
La puesta en marcha del LHC resulta un éxito (y III)
Durante nueve horas se podrá visualizar la actividad de la sala de control del laboratorio europeo de física de partículas (CERN), además de entrevistas y reportajes sobre el gran colisionador de hadrones. Las personas interesadas podrán ver la emisión desde el Servicio de Información y Noticias Científicas (SINC) y desde la página web del CSIC.
A dos días de la primera inyección de partículas en el Gran Colisionador de Hadrones (LHC), el presidente del CSIC, Rafael Rodrigo, y el director del CIEMAT, Juan Antonio Rubio, explican la importancia de este hito científico.
Un informe publicado en la revista Journal of Physics G: Nuclear and Particle Physics expone multitud de evidencias que demuestran que no hay ningún fundamento para temer el experimento que se realizará en el Gran Colisionador de Hadrones (LHC, en sus siglas en inglés) el próximo 10 de septiembre.
Una investigación ha conseguido desarrollar un material que podría actuar como nanorefrigerador en los ordenadores y romper la barrera que el calentamiento impone a la miniaturización de los chips. El material está basado en nanoestructuras de germanio (Ge), presenta una fuerte reducción de la conductividad térmica y, por lo tanto, se presenta como un candidato potencial para desarrollar sistemas termoeléctricos compatibles con el silicio. Por este motivo, se podría integrar en los dispositivos semiconductores más habituales.